Το νιτρίδιο του σιδηροπυριτίου παίζει διαφορετικούς ρόλους σε διαφορετικά σενάρια εφαρμογής. Προκειμένου να αυξηθεί περαιτέρω η κατανόηση των πελατών σχετικά με το νιτρίδιο σιδηροπυριτίου, το νιτρίδιο σιδηροπυριτίου θα εισαχθεί κυρίως από αυτή την άποψη.
Για τη λάσπη υψικαμίνου, η προσθήκη νιτριδίου σιδηροπυριτίου μπορεί να βελτιώσει σημαντικά την απόδοση απόφραξης της λάσπης, να καλύψει τις ανάγκες της λάσπης υψικαμίνου και να γίνει απαραίτητο συστατικό της λάσπης υψικαμίνου. Επιπλέον, η προσθήκη μικρής ποσότητας νιτριδίου σιδηροπυριτίου στο υλικό της σιδερένιας τάφρου μπορεί να αυξήσει τον ρυθμό ροής σιδήρου της σιδερένιας τάφρου. Μετά την πυροδότηση σε μέτρια θερμοκρασία 900 βαθμών Κελσίου, η αντοχή σε θλίψη και η αντοχή σε κάμψη έχουν μειωθεί πολύ. Οι τιμές τους είναι μόνο 110 βαθμοί Κελσίου, 60% μετά από 24 ώρες ξήρανσης, υποδεικνύοντας ότι η δομή έχει αλλάξει μετά το ψήσιμο στους 900 βαθμούς Κελσίου. .
Το νιτρίδιο του σιδηροπυριτίου χρησιμοποιείται κυρίως ως αποοξειδωτικός παράγοντας και παράγοντας παραγωγής θερμότητας στη χαλυβουργία. Στη διαδικασία κατασκευής χάλυβα, το Si3N4 του νιτριδίου του σιδηροπυριτίου δεν διαβρέχεται πλήρως με σκωρία και σίδηρο, γεγονός που μπορεί να βελτιώσει την αντίσταση στη διάβρωση των χυτεύσιμων τάφρων σιδήρου. Επιπλέον, το προϊόν οξείδωσης του Si3N4 σε νιτρίδιο του σιδήρου πυριτίου θα σχηματίσει ένα προστατευτικό φιλμ SiO2 στην επιφάνεια του δείγματος, εμποδίζοντας την περαιτέρω οξείδωση του υλικού και ενισχύοντας την αντιοξειδωτική του απόδοση. Ταυτόχρονα, η μεταλλική πλαστική φάση Fe έχει ως αποτέλεσμα την υποβοήθηση της πυροσυσσωμάτωσης και μπορεί να βελτιώσει τις μηχανικές ιδιότητες του χυτού.
Η εφαρμογή του νιτριδίου του σιδηροπυριτίου σε χυτά υλικά επικεντρώνεται κυρίως σε χυτευόμενα αυλάκια σιδήρου Al2O{{1}SiC-C, χυτά υλικά μαγνησίας και χυτά υλικά υψηλής περιεκτικότητας σε αλουμίνιο. Η προσθήκη νιτριδίου σιδηροπυριτίου 5% (w) μπορεί να βελτιώσει την αντοχή σε κάμψη σε υψηλή θερμοκρασία και την αντίσταση στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία των χυτεύσιμων τάφρων Al2O3-SiC-C.
